{"subject":"【奈米製程領域】導電性材料活性離子蝕刻機_矽淺蝕刻系統 / SEMI001100","detailContent":"
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\"矽淺蝕刻系統\"
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奈米中心介紹頁連結
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\r\n儀器資訊
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  1. 廠牌型號：Gigalane Maxis 200L
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  2. 購置年限：2022年01月
    3. \r\n\t
  3. 放置地點：光復校區 固態電子系統大樓 1樓127實驗室  (TEL：55616)
    4. \r\n\t
  4. 功能：乾式蝕刻，高選擇比矽淺層蝕刻(Si/SiO2)
    5. \r\n\t
  5. 重要規格：使用氣體包含HBr、Cl2、CF4、Ar、O2，以He gas系統冷卻，4″ wafer為主
    6. \r\n\t
  6. 儀器可使用之特殊製程材料
    7. \r\n
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","page2Title":"注意事項","page2":"
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注意事項
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  1. 請詳細說明基底晶片材質，其上含何種物質（如SiO2、光阻等）以及蝕刻後是否要去光阻（需另填寫Wet Bench申請表）。
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  2. 限前段晶片。
    3. \r\n
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","page3Title":"自行操作規定","page3":"
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自行操作儀器
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  1. 取得儀器使用權限說明：\r\n\t\r\n\t
    2. \r\n\t
  2. 儀器開放等級及人數。
    3. \r\n\t
  3. 有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用：\r\n\t\r\n\t
    4. \r\n
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","page4Title":"委託操作規定","page4":"
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委託操作儀器
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  1. 有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載RIE委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至奈米中心（本校固態電子系統大樓2F）給各儀器管理人員協助排程代工。
    2. \r\n\t
  2. 無國科會計畫者，請直接下載RIE委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至奈米中心（本校固態電子系統大樓2F）給各儀器管理人員協助排程代工。
    3. \r\n
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","page5Title":"收費標準","page5":"
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收費資訊
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  1. 有國科會計畫者依計畫付費標準計價，無國科會計畫者依非計畫付費標準計價。
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  2. 收費方式\r\n\t
      \r\n\t\t
    • 自行操作：收取使用費
      • \r\n\t\t
    • 委託操作：收取使用費+代工費
      • \r\n\t
    \r\n\t
    3. \r\n\t
  3. 費用查詢連結：https://vir.nstc.gov.tw/VI_SearchResult?item=1
    4. \r\n
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