儀器列表
EN奈米製程領域
- 更新日期：113-05-21
- 發布單位：儀器資源中心
【奈米製程領域】三五族分子束磊晶系統
- III-V MOLECULAR BEAM EPITAXY SYSTEM
- 廠牌型號：Veeco Modular GEN II solid source III-V MBE
- 儀器專家：林聖迪 教授
- 分機 31240
- 信箱 sdlin@mail.nctu.edu.tw
- 儀器諮詢與操作服務：吳儲君 小姐
- 分機 54248、55665
- 信箱 isabelwu@nycu.edu.tw
- 儀器位置：光復校區 固態電子系統大樓1樓R110室
儀器資訊
重要規格
- 中文名稱：三五族分子束磊晶系統
- 英文名稱：III-V Molecular Beam Epitaxy System
- 英文簡稱：MBE
- 廠牌：Veeco Modular GEN II solid source III-V MBE
- 儀器地點：光復校區 固態電子系統大樓R110實驗室
- 購置日期：2004年8月
- 加入貴儀日期：2015年1月
重要規格
- High Vacuum Growth chamber：Pressure < 5×10-10 torr
- Source Material：Ga、Al、In、As、Sb.
- Doping Source ：Be、Si、Te
- Max substrate Size：3 inch
- Epitaxy Layer thickness Variation < 5%
- The highest growth temperature: 640℃
- In-situ rsidual gas analysis (RGA) and reflection high energy electron diffraction (RHEED, 15kV)：
- Regular monitoring epitaxy layer growth rate and quality.
服務項目
- 本系統為超高真空系統，原則上不開放自行操作，但可現場陪同。
- 本系統服務每一片晶片以6小時為1單元。
- 申請使用者須和儀器負責教授或技術員接洽，以確定樣品符合需求。
- 每人每次最多預約5個樣品。
- 取消預約須於一週前告知。
系統開放等級
目前只開放委託服務，由本實驗室技術人員操作。
開放時段：本機台採取委託預約有需要請上貴儀系統預約。
| 服務項目 | 收費標準（單位：NTD） |
|---|---|
| 砷化物樣品委託 | 計畫預約：$4,000 /1µm 非計畫預約：$15,000 /1µm |
| 銻化物樣品委託 | 計畫預約：$5,000 /1µm 非計畫預約：$25,000 /1µm |
| 特殊結構測試費用 | 依據結構難度額外加收 2-6µm不等之校正費用 |
| 基板費用 | GaAs 系列：$7,000 /單片 GaSb 系列：$25,000 /單片 InP 系列：$9,000 /單片 |
- 此收費標準係以樣品成長厚度在1微米計算。超過1微米以上部份，若不足1微米則以1微米 計算。
- 為維持本系統穩定性與超高真空條件，恕不接受委託者自行提供基板之要求；一律由本單位統一提供長晶基板。
- 另有特殊要求請先mail或來電討論。
- 若需長期委託服務者，可提供長期專案優惠。
- 本單位另可協助評估結構可行性與成長建議之諮詢服務。
管理辦法及試片限制
- 能夠成長的基板為GaAs、InP、InAs、GaSb、InSb。
- 委託操作者在繳交預約單後，必須聯絡技術員確定實驗時間與成長內容。
儀器預約辦法
- 儀器預約﹝enter﹞
- 欲取消預約請在一周前，聯絡技術員並自行上網取消。
- 預約申請單繳交，請拍照或掃描傳送至技術員信箱
相關圖片：
