儀器列表
EN奈米製程領域
- 更新日期：113-06-12
- 發布單位：儀器資源中心
【奈米製程領域】低壓化學氣相沉積系統
- Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)
- 廠牌型號：SJ-10301001-1
- 儀器專家：劉柏村 教授
- 分機 52994
- 儀器諮詢與操作服務：賴玟言 先生
- 分機 55606、55616
- 信箱 white@nycu.edu.tw
- 儀器位置：光復校區 固態電子系統大樓 1樓127實驗室
- 分機 55616
- 廠牌型號：SJ-10301001-1
- 購置年限：2014年12月28日
- 放置地點：光復校區 固態電子系統大樓 1樓127實驗室 (TEL：55616)
- 功能：
- (1).腔體（chamber)：6″，均溫區長度600mm
- (2).真空：5*10-3 Torr
- (3).溫度：POLY-Si-620°C，Si3N4-800°C，TEOS-700°C
- 重要規格：
- (1).多晶矽沉積摻雜磷化氫(Poly-Si in-situ PH3):溫度：585°C氣體：SiH4，PH3壓力：500mtorr
- (2).多晶矽及非晶矽的沈積(poly-Si & amorphous-Si)，矽鍺沉積(SiGe):溫度：620°C/550°C氣體：SiH4，GeH4壓力：300mtorr
- (3).氮化矽的沈積(Si3N4):溫度：800°C/850°C氣體：SiH2Cl2，NH3壓力：120mtorr
- (4).TEOS的沈積:溫度：700°C氣體：TEOS壓力：120mtorr
- 儀器可使用之特殊製程材料。
自行操作儀器
- 需已擁有Wet Bench使用權限才可申使用LPCVD系統。
- 取得儀器使用權限說明:
- (1).白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)
- (2).24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)
- (3).注意事項 (務必詳讀，以免損失自身權益)
- (4).LPCVD儀器操作規範&考核記錄表
- 儀器開放等級及人數。
- 有儀器使用權限後，需登入下列系統取得序號並預約使用:
- (1).國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統 (取得序號)
- (2).奈米中心儀器預約系統 (使用時段預約)
委託操作儀器
- 有國科會計畫者，請先至國科會基礎研究核心設施預約服務管理系統預約並取得預約編號，再下載LPCVD委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
- 無國科會計畫者，請直接下載LPCVD委託代工申請單，將填寫好之申請單及材料送至本中心(本校固態電子系統大樓2F)給各儀器管理人員協助排程代工。
收費資訊
- 有國科會計畫者依計畫付費標準計價，無國科會計畫者依非計畫付費標準計價。
- 收費方式
- 自行操作：收取開機費+製作費
- 委託操作：收取開機費+製作費+代工費
- 費用查詢連結
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